[发明专利]一种光电突触器件的制备及调制方法

摘要

本发明公开了一种光电突触器件的制备及调制方法，所述制备方法包括以下步骤：制备包含栅极层、介电层、源电极和漏电极的场效应晶体管结构；在源电极和漏电极上方转移石墨烯薄膜；将石墨烯薄膜加工成导电沟道；在加工成导电沟道后的石墨烯薄膜表面制备石墨炔薄膜，得到场效应晶体管结构的光电突触器件。本发明通过在源电极和漏电极上方转移石墨烯薄膜，在石墨烯薄膜表面制备石墨炔薄膜，得到场效应晶体管结构的光电突触器件，本发明通过在石墨烯表面制备石墨炔薄膜，扩宽光波响应范围，并采用场效应晶体管结构实现光信号和电信号的调控，以满足复杂应用场景下的要求。本发明可广泛应用于人工神经网络技术领域。