[发明专利]一种硼扩散方法及N型太阳能电池片制备方法

摘要

本发明提供的一种硼扩散方法，包括以下步骤：1)选择N型硅基体作为衬底进行双面制绒处理；2)对N型硅基体进行湿法氧化，在硅表面形成一层氧化硅层；3)在N型硅基体表面采用三溴化硼作为硼源进行双面p+掺杂区域的制备；4)将N型硅基体的其中一面放入HF、HNO3及H2SO4混合溶液中进行刻蚀处理以去除背面的氧化硅层和背面p+掺杂区域并得到刻蚀后平缓的金字塔表面，另一面放入HF溶液以去除正面的氧化硅层。本发明在硅表面于硼扩散前制备一层氧化硅薄膜防止BRL的形成；湿法制备的氧化硅层均匀性良好；工艺简单，不需要增加工序；把氧化和HF清洗工艺分开进行，大大拓宽了工艺窗口。