[发明专利]一种具有多级孔结构的氮化硅陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202010037150.5 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111099919B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李端;于秋萍 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C04B38/10 | 分类号： | C04B38/10;C04B38/00;C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张丽娟 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多级孔结构的氮化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将氮化硅、一氧化硅、烧结助剂、造孔剂和凝胶助剂均匀混合，调节pH值为8.5～11.5，并球磨，得混合浆料；将混合浆料注模成型，固化后经干燥、脱模、排胶，得到陶瓷坯体；将陶瓷坯体置于化学气相渗透炉中，在气态先驱体的氛围下进行沉积烧结，得陶瓷样品；将陶瓷样品下方间隔铺放硅源，将陶瓷样品和硅源在保护气氛下进行无压放电等离子烧结，即得到具有多级孔结构的氮化硅陶瓷。本发明制备得到的氮化硅陶瓷透气性良好、适用于烟尘过滤且制备工艺简单、微观结构可调。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多级 结构 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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