[发明专利]半导体器件、用于半导体器件的超级结结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010032137.0 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN113113463B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 清纯半导体（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件、用于半导体器件的超级结结构及其制造方法，该用于半导体器件的超级结结构包括：在第二方向多个交替设置的第一导电类型柱和第二导电类型柱；其中第一导电类型柱和第二导电类型柱沿第一方向延伸，第一导电类型柱和与之相邻的一个第二导电类型柱接触，第一导电类型柱和/或第二导电类型柱内的掺杂浓度不同。该超级结通过分别形成第一导电类型柱和第二导电类型柱的方法形成，可以分别对第一导电类型柱和第二导电类型柱进行掺杂浓度的控制，保证第一导电类型柱和第二导电类型柱之间电荷平衡且第一导电类型柱和/或第二导电类型柱内的掺杂浓度不同，可以提高超级结器件的击穿电压和雪崩能量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 超级 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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