[发明专利]氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合材料电极、其应用及其制备方法有效
| 申请号： | 202010030107.6 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111146015B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李珍;毛剑;周志鹏;吴晓敏;张臣;卜静婷;任静 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/36;H01G11/86 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合材料电极、其应用及其制备方法，以生长在碳布上的二维Co‑MOF作为模板，通过高温热裂解制备出多孔碳纳米片阵列，采用碱催化水相分子融合法制备高浓度氮掺杂石墨烯量子点，通过电沉积将N‑GQDs负载到Co‑MOF衍生的多孔碳纳米片阵列上，构筑氮掺杂石墨烯量子点/多孔碳纳米片阵列/碳布复合电极，形成自支撑结构，主要由碳元素组成，是绿色、无毒且环境友好的电极材料。本粉末方法过程简单，所制备的N‑GQD/CNS/CC复合电极具有高电容性能，本发明方法制备的N‑GQD/CNS/CC电极在新能源纳米器件技术领域展示出诱人的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 石墨 量子 多孔 纳米 阵列 复合材料 电极 应用 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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