[发明专利]一种高比表面积缺陷型氮化碳的制备方法有效
| 申请号： | 202010026656.6 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111186824B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 邓全花;巴贵明;李海平;侯万国 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B21/082 | 分类号： | C01B21/082;B01J20/28;B01J20/02;B01J27/24 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王素平 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高比表面积缺陷型氮化碳的制备方法，包括步骤如下：将氮化碳前驱体于200～500℃下焙烧，得氮化碳中间体；将得到的氮化碳中间体进行球磨，得到球磨后的氮化碳中间体；将得到的球磨后的氮化碳中间体在520～650℃下焙烧，即得高比表面积缺陷型氮化碳。本发明对氮化碳中间体进行球磨处理，然后焙烧，即可制备出高比表面积缺陷型氮化碳。缺陷和介孔的产生使氮化碳的光吸收性能显著增强，光生电荷分离加速，光催化水分解产氢速率较传统块状氮化碳显著提高。本方法对设备要求低、操作简单，易于实现工业化批量生产，可广泛应用于缺陷型氮化碳生产领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面积 缺陷 氮化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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