[发明专利]一种隔离电容器和用于形成隔离电容的方法在审
| 申请号： | 202010018322.4 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111446365A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 胡永忠 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张玮;王琳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种隔离电容器和用于形成隔离电容的方法。本发明公开了可容易地结合到现有IC制造工序中的各种电容隔离结构。一种用于形成隔离电容的示例性方法实施方案包括：(a)在集成电路基板的表面上形成凹槽，该凹槽具有底表面；(b)用绝缘层涂覆底表面；(c)将底部电极覆盖在绝缘层上；(d)用具有不小于凹槽深度的一半的最小厚度的块体绝缘体来填充凹槽；以及(e)将顶部电极沉积在块体绝缘体上方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 电容器 用于 形成 电容 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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