[发明专利]RRAM单元的制造方法及RRAM单元有效
| 申请号： | 202010018189.2 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113097382B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 尹晓明;马强 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种RRAM单元的制造方法及RRAM单元，包括步骤：在半导体衬底上，形成BE电介质层；在BE电介质层上形成BE孔，BE孔与所述半导体衬底接触；在BE孔中形成BE；在BE所属层的上方形成开关层；在开关层上方形成TE层；将所述TE层制作成目标尺寸，得到TE岛；将开关层制作成目标尺寸；在TE岛及所述BE电介质层上形成低K电介质层；在低K电介质层上形成沟槽，沟槽深入至所述TE岛中且所述沟槽的尺寸小于TE的尺寸；在沟槽内形成铜线；得到RRAM单元。RRAM单元由所述方法制得，或RRAM单元包括：BE，开关层，TE及铜线；BE上依次设有开关层、TE及导线；所述TE的尺寸大于所述BE，所述TE具有凹陷部，所述导线位于所述TE的凹陷部上。 | ||
| 搜索关键词： | rram 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
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