[发明专利]用于细胞迁移的太赫兹超材料传感器及采用其的检测方法有效
| 申请号： | 202010014994.8 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111141703B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 吕晓庆;耿照新;方维豪;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N21/3586 | 分类号： | G01N21/3586;G01N21/01 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种太赫兹超材料传感器，包括衬底、太赫兹超材料结构传感单元和用于限制细胞生长区域的聚二甲基硅氧烷围挡，其中：所述太赫兹超材料结构传感单元形成于所述衬底上，其上形成有周期性排列的劈裂环和两个圆环对准标记；所述聚二甲基硅氧烷围挡位于所述衬底上，包括中空圆内径与所述太赫兹超材料结构传感单元上的外圈圆环对准标记对齐的中间圆形镂空的聚二甲基硅氧烷方形片，以及外径与内圈圆环对准标记对齐的实心聚二甲基硅氧烷圆柱形片。该传感器制备流程简单，检测速度快，需要的细胞量少，为细胞迁移的检测提供又一快速、可靠的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 细胞 迁移 赫兹 材料 传感器 采用 检测 方法 | ||
【主权项】：
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