[发明专利]集成在氮化镓半导体装置上的嵌位电路及相关半导体装置在审
| 申请号： | 202010014156.0 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111192872A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 管要宾;盛健健 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于一种半导体装置以及嵌位电路。所述半导体装置包含：一衬底；一第一半导体层，设置在所述衬底上并且由三族氮化物半导体材料构成；一第二半导体层，设置在所述第一半导体层上并且由三族氮化物半导体材料构成；一功率晶体管结构，包含有一栅级结构、一漏级结构和一源级结构设置于所述第二半导体层上；一或多个第一晶体管结构(M1…M4)，设置在所述第二半导体层上；及一或多个第二晶体管结构(M5…Mn)，串连地设置在所述第二半导体层上，其中所述一或多个第一晶体管结构(M1…M4)的一端和所述一或多个第二晶体管结构(M5…Mn)的一端共同电连接至所述功率晶体管结构的所述漏级结构，且所述一或多个第一晶体管结构(M1…M4)的另一端和所述一或多个第二晶体管结构(M5…Mn)的另一端共同电连接至所述功率晶体管结构的所述源级结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 氮化 半导体 装置 电路 相关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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