[发明专利]具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈有效
| 申请号： | 202010010002.4 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111180525B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;斐德列克·杰能;萨姆·吉哈 | 申请（专利权）人： | 经度快闪存储解决方案有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了包括多层电荷储存层的半导体存储设备和形成该半导体存储设备的方法的实施例。一般，设备包括：由覆盖在衬底上的表面的半导体材料形成的沟道，该沟道连接存储设备的源极和漏极；覆盖沟道的隧道氧化物层；以及多层电荷储存层，其包括在隧道氧化物层上的富氧、第一氮氧化物层和在第一氮氧化物层上的贫氧、第二氮氧化物层，其中第一氮氧化物层的化学计量组合物导致其实质上没有陷阱，第二氮氧化物层的化学计量组合物导致其陷阱密集。在一个实施例中，设备包括包含具有邻接沟道的多个表面的栅极的非平面晶体管，并且栅极包括隧道氧化物层和多层电荷储存层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多个氮 氧化物 氮化物 堆栈 | ||
【主权项】：
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