[发明专利]一种防止EOS损伤的二级电路保护电路在审
| 申请号： | 202010005871.8 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111181142A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 封梅泉 | 申请（专利权）人： | 华勤通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 史翠 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止EOS损伤的二级电路保护电路，第一MOS管的源极连接电源输入端，第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极相连并都与第三MOS管的栅极相连，第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极相连并都连接在第一电阻和第一电容之间；第二电阻和第二电容并联后一端连接电源输入端，另一端与第三MOS管的漏极相连；第一倒相放大器的输入端与第三MOS管的漏极相连，第一倒相放大器的输出端与第二倒相放大器的输入端连接，第二倒相放大器的输出端与第四MOS管的栅极连接；第三电容一端连接在第二倒相放大器的输出端与第四MOS管的栅极之间，另一端接地。本发明能保护二级电路不受到快速上升的EOS能量损坏，提高电路运行稳定性，减少因EOS导致的电路不良，提升客户使用体验。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 eos 损伤 二级 电路 保护 | ||
【主权项】：
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