[发明专利]一种防止EOS损伤的二级电路保护电路在审
申请号: | 202010005871.8 | 申请日: | 2020-01-03 |
公开(公告)号: | CN111181142A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 封梅泉 | 申请(专利权)人: | 华勤通讯技术有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 史翠 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种防止EOS损伤的二级电路保护电路,第一MOS管的源极连接电源输入端,第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极相连并都与第三MOS管的栅极相连,第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极相连并都连接在第一电阻和第一电容之间;第二电阻和第二电容并联后一端连接电源输入端,另一端与第三MOS管的漏极相连;第一倒相放大器的输入端与第三MOS管的漏极相连,第一倒相放大器的输出端与第二倒相放大器的输入端连接,第二倒相放大器的输出端与第四MOS管的栅极连接;第三电容一端连接在第二倒相放大器的输出端与第四MOS管的栅极之间,另一端接地。本发明能保护二级电路不受到快速上升的EOS能量损坏,提高电路运行稳定性,减少因EOS导致的电路不良,提升客户使用体验。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 eos 损伤 二级 电路 保护 | ||
【主权项】:
暂无信息
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