[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 202010004669.3 | 申请日: | 2020-01-03 |
公开(公告)号: | CN112071349A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 船附里英子;前田高志;滋賀秀裕;前嶋洋 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/30;G11C16/26 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式提供一种能够抑制数据的误读的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备:第1存储单元及第2存储单元,被串联连接;第1字线,连接于所述第1存储单元;第2字线,连接于所述第2存储单元;以及控制电路。所述控制电路是以如下方式构成,即,对所述第1字线施加第1电压并且对所述第2字线施加第2电压而对第1节点充电,基于所述充电后的第1节点的电压对第2节点充电,对所述第1字线施加第3电压并且对所述第2字线施加所述第2电压而将所述第2节点放电,基于所述充电且所述放电后的所述第2节点的电压从所述第1存储单元读出数据。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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