[发明专利]一种抗单粒子烧毁的GaN器件在审
| 申请号： | 202010002987.6 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111162117A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 王颖;张飞;包梦恬;于成浩;曹菲;李兴冀;杨剑群;吕钢 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 张焕响 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抗单粒子烧毁的GaN器件，包括从下到上依次层叠设置的GaN底部缓冲层、GaN中间缓冲层、GaN沟道层、势垒层、钝化层；GaN中间缓冲层中设有夹层，夹层将GaN中间缓冲层分为上下两层；GaN中间缓冲层上表面的两端分别设有源电极和漏电极，钝化层上设有凹槽绝缘栅结构，源电极、漏电极和凹槽绝缘栅结构贯穿钝化层、势垒层和GaN沟道层，并延伸至GaN中间缓冲层上表面；凹槽绝缘栅结构包括凹槽，凹槽内壁设有栅介质，凹槽内设有栅电极；本发明有效降低了粒子入射后器件中的瞬态电流，从而提高了GaN器件的抗单粒子烧毁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 烧毁 gan 器件 | ||
【主权项】：
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