[发明专利]存储器元件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种存储器元件及其制备方法，存储器元件包括一衬底、一叠层结构、多个通道结构、一存储层以及多个隔离结构。衬底具有一上表面。叠层结构位于衬底的上表面上，其中叠层结构包括依序叠层于衬底上的一第一绝缘层、一第一导电层、一第二绝缘层、一第二导电层以及一第三绝缘层。通道结构穿过叠层结构并电性连接于衬底，其中各通道结构包括一上部部分及一下部部分，上部部分对应于第二导电层，下部部分对应于第一导电层。存储层位于第二导电层与上部部分之间。隔离结构穿过叠层结构以将叠层结构分隔为多个次叠层。