[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201980071828.7 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112997294B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 河野宪司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/337;H01L29/808;H01L21/338;H01L29/812 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在级联连接有JFET(10)和MOSFET(20)的半导体装置中，JFET(10)具备漂移层(113)、配置在漂移层(113)上的沟道层(114)、形成在沟道层(114)的表层部且与沟道层(114)相比为高杂质浓度的源极层(115)、在沟道层(114)中形成得比源极层(115)深的栅极层(13)、在沟道层(114)中形成得比源极层(115)深且与栅极层(13)分离的体层(116)、隔着漂移层(113)而配置在与源极层(115)相反的一侧的漏极层(111)。而且，使栅极层(13)与体层(116)之间的耐压比MOSFET(20)的耐压低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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