[发明专利]用于对存储器单元进行编程的技术在审
| 申请号： | 201980053652.2 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN112602151A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | H·A·卡斯特罗;I·托尔托雷利;A·皮罗瓦诺;F·佩里兹 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C13/00;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供用于对存储第一逻辑状态的自选择存储器单元进行编程的技术。为对所述存储器单元进行编程，可将具有第一极性的脉冲施加到所述单元，此可导致所述存储器单元具有降低的阈值电压。在其中可降低所述存储器单元的所述阈值电压的持续时间期间(例如，在选择时间期间)，可将具有第二极性(例如，不同极性)的第二脉冲施加到所述存储器单元。将所述第二脉冲施加到所述存储器单元可导致所述存储器单元存储不同于所述第一逻辑状态的第二逻辑状态。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 单元 进行 编程 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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