[发明专利]单晶硅的碳浓度测定方法及装置在审
| 申请号： | 201980048489.0 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN112654856A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 小林省吾 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/3563 | 分类号： | G01N21/3563;G01N21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的课题在于即使在单晶硅中的碳浓度非常低的情况下也准确地测定该碳浓度。根据本发明的单晶硅的碳浓度测定方法具备：通过FT‑IR测定单晶硅的试样的碳浓度Ycs的步骤（S11）；在试样的碳浓度Ycs的测定过程中或其前后测定试样的温度T的步骤；及当试样的碳浓度Ycs为0.5×10 |
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| 搜索关键词： | 单晶硅 浓度 测定 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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