[发明专利]非易失性双列直插式存储器模块中的交叉点阵列存储器在审
| 申请号： | 201980032056.6 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN112136178A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | E·麦格劳克林;戴颖煜;S·米塔尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/4074;G11C5/14;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可在存储器子系统的交叉点阵列存储器双列直插式存储器模块DIMM操作组件处接收电力损失的指示。所述交叉点阵列存储器DIMM操作组件包含易失性存储器组件和非易失性交叉点阵列存储器组件。响应于接收到所述电力损失的所述指示，基于所述存储器子系统的特性，确定用于所述交叉点阵列存储器DIMM操作组件的所述非易失性交叉点阵列存储器组件的写入操作的类型。检索存储在所述交叉点阵列存储器DIMM操作组件的所述易失性存储器组件处的数据，且通过使用所述所确定类型的写入操作，将所述数据写入到所述交叉点阵列存储器DIMM操作组件的所述非易失性交叉点阵列存储器组件。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性双列直插式 存储器 模块 中的 交叉点 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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