[实用新型]一种电注入装置有效
申请号: | 201922388901.3 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN210778646U | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 张达奇;吴坚;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型属于太阳能电池生产技术领域,公开了一种电注入装置,该电注入装置包括壳体和电注入部,所述壳体内具有工艺腔,所述电注入部能向容置于所述工艺腔内的硅片通电,以对所述硅片进行电注入作业并使所述硅片升温,所述工艺腔内还设置有:辅助加热结构,所述辅助加热结构与备用电源电性连接,以在通电时加热所述硅片;以及测温组件,所述测温组件用于测量所述硅片的温度,并与所述备用电源电性连接。本实用新型提供的电注入装置能够通过测温组件测量硅片的异常温降,并通过由备用电源供电的辅助加热结构维持硅片的温度,以确保处于电注入作业中的硅片不因异常温降而影响电注入效果和产能,并避免硅片报废。 | ||
搜索关键词: | 一种 注入 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的