[实用新型]半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件有效
| 申请号： | 201922362451.0 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN211265415U | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陈少举 | 申请（专利权）人： | 宝鸡市科迪普新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 周敏云 |
| 地址： | 721000 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件。所述半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件包括上盖；底座，所述底座设于所述上盖的下方；前连接板，所述前连接板设于所述上盖与所述底座之间；后连接板，所述后连接板设于所述上盖和所述底座之间；左连接板，所述左连接板设于所述上盖与所述底座之间；右连接板，所述右连接板设于所述上盖和所述底座之间。本实用新型提供的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件金属钨和钼作为离子注入的溅射材料，耐高温，最高可达到2300度，增加使用寿命，提高了溅射的稳定作用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 离子 注入 溅射 工艺 钨钼加 工件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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