[实用新型]硅异质结太阳电池及叠层透明导电氧化物薄膜有效
申请号: | 201922326551.8 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN211828779U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 王伟;赵晓霞;宫元波;田宏波;宗军;周永谋;李洋;杨文魁 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜。用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜包括:氢掺杂氧化铟层;TCO接触层,TCO接触层设置在氢掺杂氧化铟层的一个表面上。由此,氢掺杂氧化铟层具有较高的载流子迁移率,其可以大大提高叠层透明导电氧化物薄膜的整体载流子迁移率,进而降低叠层透明导电氧化物薄膜的电阻率,提升硅异质结太阳电池的使用性能;而且,在硅异质结太阳电池中,TCO接触层的设置可以保证叠层透明导电氧化物薄膜与硅异质结太阳电池中的金属电极良好的接触,以降低两者之间的接触电阻;再者,轻掺杂氧化铟层具有较高的透光率,故而不会影响叠层透明导电氧化物薄膜的透光效果。 | ||
搜索关键词: | 硅异质结 太阳电池 透明 导电 氧化物 薄膜 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的