[实用新型]GaInP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳电池有效
| 申请号： | 201920367133.0 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN209880626U | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 朱明星;吴慧哲;李华;王伟明 | 申请（专利权）人： | 江苏宜兴德融科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0445;H01L31/0735 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 214213 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供一种GaInP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳电池，包括：按光入射方向依次布置的GaInP顶电池、GaAs中电池和InGaAs底电池；其中，所述GaInP顶电池与GaAs中电池布置有第一隧穿结；所述GaAs中电池和InGaAs底电池之间依次设置有第二隧穿结和晶格渐变缓冲层(Crystal Graded Buffer,CGB)。所述GaInP顶电池、GaAs中电池和InGaAs底电池均采用nP | ||
| 搜索关键词： | 底电池 顶电池 电池 薄膜太阳电池 隧穿结 晶格渐变缓冲层 异质结结构 表面金属 电池布置 短路电流 开路电压 依次布置 依次设置 转换效率 光入射 栅线 | ||
【主权项】：
1.一种GaInP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳电池，其特征在于，包括：/n按光入射方向依次布置的GaInP顶电池、第一隧穿结、GaAs中电池、第二隧穿结、晶格渐变缓冲层(CGB)和InGaAs底电池；/n其中，所述GaInP顶电池采用nP
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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