[实用新型]一种警示灯控制电路有效
| 申请号： | 201920210815.0 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN209914117U | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 熊浩 | 申请（专利权）人： | 熊浩 |
| 主分类号： | H05B33/08 | 分类号： | H05B33/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650235 云南省昆明市官*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种警示灯控制电路，其包括电阻R1、电阻R3、N沟道MOSFET Q2、NPN型三极管Q1、高亮发光二极管D1、电容C1、高亮发光二极管D5、高亮发光二极管D2、高亮发光二极管D9、高亮发光二极管D6、高亮发光二极管D10、高亮发光二极管D3、高亮发光二极管D7、高亮发光二极管D4、高亮发光二极管D11、高亮发光二极管D8、高亮发光二极管D12、电阻R2、电阻R4、高亮发光二极管D13、高亮发光二极管D14、高亮发光二极管D15、高亮发光二极管D16。本实用新型通过控制信号输入方波占空比就可以方便地控制警灯的闪烁频率。 | ||
| 搜索关键词： | 高亮发光二极管 电阻 本实用新型 警示灯控制电路 控制信号输入 闪烁频率 占空比 电容 方波 警灯 | ||
【主权项】：
1.一种警示灯控制电路，其特征在于：包括电阻R1（1）、电阻R3（2）、N沟道MOSFET Q2（3）、NPN型三极管Q1（4）、高亮发光二极管D1（5）、电容C1（6）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D9（9）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D12（17）、电阻R2（18）、电阻R4（19）、高亮发光二极管D13（20）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）；所述N沟道MOSFETQ2（3）源极接+16伏电源；所述N沟道MOSFETQ2（3）栅极接NPN型三极管Q1（4）发射极、电阻R4（19）上端；所述N沟道MOSFETQ2（3）漏极接电容C1（6）正极、高亮发光二极管D1（5）正极、高亮发光二极管D2（8）正极、高亮发光二极管D3（12）正极、高亮发光二极管D4（14）正极；所述电阻R1（1）上端接+5VDC；所述电阻R1（1）下端接NPN型三极管Q1（4）基极、电阻R2（18）上端、控制信号输入端、控制信号输入端；所述NPN型三极管Q1（4）集电极接电阻R3（2）下端；所述高亮发光二极管D5（7）正极接高亮发光二极管D1（5）负极；所述高亮发光二极管D5（7）负极接高亮发光二极管D9（9）正极；所述高亮发光二极管D6（10）正极接高亮发光二极管D2（8）负极；所述高亮发光二极管D6（10）负极接高亮发光二极管D10（11）正极；所述高亮发光二极管D7（13）正极接高亮发光二极管D3（12）负极；所述高亮发光二极管D7（13）负极接高亮发光二极管D11（15）正极；所述高亮发光二极管D8（16）正极接高亮发光二极管D4（14）负极；所述高亮发光二极管D8（16）负极接高亮发光二极管D12（17）正极；所述高亮发光二极管D13（20）正极接高亮发光二极管D9（9）负极；所述高亮发光二极管D14（21）正极接高亮发光二极管D10（11）负极；所述高亮发光二极管D15（22）正极接高亮发光二极管D11（15）负极；所述高亮发光二极管D16（23）正极接高亮发光二极管D12（17）负极；所述地接电阻R2（18）下端、电阻R4（19）下端、电容C1（6）负极、高亮发光二极管D13（20）负极、高亮发光二极管D14（21）负极、高亮发光二极管D15（22）负极、高亮发光二极管D16（23）负极；输入电压+5VDC通过电阻R1（1）、电阻R2（18）、电阻R3（2）提供NPN型三极管Q1（4）直流工作电压，NPN型三极管Q1（4）导通，N沟道MOSFET Q2（3）栅极获得高电平，N沟道MOSFET Q2（3）导通，+16VDC经过N沟道MOSFET Q2（3）源极、漏极给高亮LED矩阵供电，高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D9（9）高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D12（17）、高亮发光二极管D13（205）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）导通点亮；当控制信号输入高电平NPN型三极管Q1（4）基极高电平，NPN型三极管Q1（4）导通，N沟道MOSFET Q2（3）控制栅极电平为高电平，N沟道MOSFET Q2（3）继续导通，高亮LED矩阵获得供电，高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D9（9）高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D12（17）、高亮发光二极管D13（205）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）导通继续点亮；当控制信号输入低电平NPN型三极管Q1（4）基极低电平，NPN型三极管Q1（4）截止，N沟道MOSFET Q2（3）控制栅极电平为0VDC，N沟道MOSFET Q2（3）截止，高亮LED矩阵失去供电，高亮发光二极管D1（5）、高亮发光二极管D2（8）、高亮发光二极管D3（12）、高亮发光二极管D4（14）、高亮发光二极管D5（7）、高亮发光二极管D6（10）、高亮发光二极管D7（13）、高亮发光二极管D8（16）、高亮发光二极管D9（9）高亮发光二极管D10（11）、高亮发光二极管D11（15）、高亮发光二极管D12（17）、高亮发光二极管D13（205）、高亮发光二极管D14（21）、高亮发光二极管D15（22）、高亮发光二极管D16（23）导通熄灭，通过控制信号输入方波的占空比就可以方便地控制警灯的闪烁频率。/n
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