[实用新型]一种磁光可调光衰减器有效

专利信息
申请号: 201920161274.7 申请日: 2019-01-30
公开(公告)号: CN209343071U 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: 陈建林;林玲;罗晓芸 申请(专利权)人: 福建华科光电有限公司
主分类号: G02F1/09 分类号: G02F1/09
代理公司: 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 代理人: 王美花
地址: 350000 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型提供一种磁光可调光衰减器,采用第一楔形双折射晶体、第二楔形双折射晶体及一个法拉第旋转晶体的组合件,使得本实用新型所述的磁光可调光衰减器可以更进一步小型化,且调试装配更简单,提高工作效率。同时采用饱和磁场施加机构在侧面施加一饱和的垂直于光路的永久磁场,以及在第一楔形双折射晶体、第二楔形双折射晶体及法拉第旋转晶体外围套上可变磁场的可变磁场施加机构,既实现了小型化的目的,也克服了现有技术中磁畴边界不稳定所带来的重复性差的缺陷。也克服了现有技术中将双折射晶体光束位移器放置于双光纤头与准直透镜之间所带的工艺困难,使得本实用新型制造更简单方便,大大降低制造成本。
搜索关键词: 楔形双折射晶体 可调光衰减器 本实用新型 磁光 法拉第旋转晶体 可变磁场 施加机构 光束位移器 双折射晶体 饱和磁场 工作效率 双光纤头 永久磁场 制造成本 准直透镜 组合件 磁畴 光路 装配 饱和 调试 垂直 施加 外围 侧面 制造
【主权项】:
1.一种磁光可调光衰减器,其特征在于:包括第一楔形双折射晶体、第二楔形双折射晶体、法拉第旋转晶体、用于给所述法拉第旋转晶体施加饱和磁场的饱和磁场施加机构、用于施加可变磁场的可变磁场施加机构、用于发射光信号和接收光信号的双光纤准直器;所述第一楔形双折射晶体包括第一楔角面和第二楔角面;所述第二楔形双折射晶体包括第三楔角面和第四楔角面,所述第三楔角面平行于所述第二楔角面;所述双光纤准直器包括光信号输入的第一光纤、光信号输出的第二光纤、以及准直透镜;第一光纤和第二光纤平行布置,第一光纤和第二光纤的出射端面后再布置所述准直透镜,所述第一楔形双折射晶体、第二楔形双折射晶体、法拉第旋转晶体依次紧贴布置,且所述第二楔角面和第三楔角面紧贴,所述第一楔形双折射晶体的光轴在水平轴线与法线所在的平面内,第一楔形双折射晶体的光轴方位角与水平轴线成θ角,所述第二楔形双折射晶体的光轴垂直于水平轴线与法线所在的平面;所述饱和磁场施加机构设置在所述法拉第旋转晶体的侧边,且施加的饱和磁场的方向垂直于水平轴线;所述可变磁场施加机构套设在所述第一楔形双折射晶体、第二楔形双折射晶体、法拉第旋转晶体、饱和磁场施加机构的外面,且所述可变磁场施加机构施加的可变磁场的方向为平行于水平轴线。
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