[发明专利]QLED器件、显示装置及QLED器件的制备方法有效
| 申请号： | 201911424141.5 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129333B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 眭俊 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;G02F1/13357;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 宋朝政 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种QLED器件、显示装置及QLED器件的制备方法，其中，QLED器件包括依次层叠设置的基板、底电极、混合发光层和顶电极，混合发光层包括阻隔层，所述阻隔层形成有多个向内凹陷的凹坑，所述凹坑内填充有量子点发光材料，所述阻隔层由无机纳米材料制成，所述量子点发光材料包括核壳量子点，所述量子点发光材料与所述阻隔层之间为物理混合，所述无机纳米材料的禁带宽度均大于所述核壳量子点的核材料的禁带宽度。本发明的阻隔层有效隔离量子点并增大了量子点之间的距离，减少了量子点之间的能量转移；由于量子点发光材料与阻隔层之间为物理混合，没有对量子点进行化学处理，不改变量子点的化学结构，因此不会影响量子点发光产率。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 显示装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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