[发明专利]一种刻蚀方法在审
| 申请号： | 201911382651.0 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111063798A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 杨美音;高建峰;罗军;崔岩;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘晓菲 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种刻蚀方法，在衬底上从下至上可以依次形成底层电极膜层、固定磁性膜层、隧穿绝缘膜层、自由磁性膜层和顶层电极膜层，分别对顶层电极膜层、自由磁性膜层和隧穿绝缘膜层进行刻蚀，形成顶层电极层、自由磁性层和隧穿绝缘层的堆叠层，在堆叠层的侧壁形成侧墙，侧墙可以在对固定磁性膜层进行刻蚀形成固定磁性层的过程中保护堆叠层。也就是说，在进行固定磁性模层的刻蚀时，隧穿绝缘层的侧壁已经形成有侧墙，因此不会有金属飞溅到隧穿绝缘层的侧壁上，也不会对隧穿绝缘层造成刻蚀损伤，保证了隧穿绝缘层的结构完整性和功能完整性，因此提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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