[发明专利]一种MoSe2

摘要

本发明公开了一种MoSe2/铁磁金属太赫兹辐射源、制备及太赫兹波激发方法，该太赫兹辐射源包括基底、沉积在基底上的MoSe2和沉积在MoSe2上的铁磁金属。对本发明所述的MoSe2/铁磁金属太赫兹辐射源施加磁场，再使用泵浦光入射到该太赫兹辐射源的铁磁金属上，产生太赫兹波。本发明通过使用MoSe2与铁磁金属构成异质结作为太赫兹辐射源，在外加磁场的作用下，使得所产生的太赫兹辐射强度相比较单一材料有明显的提升，表现出高辐射效率；相比于非铁磁金属材料，由于MoSe2在太赫兹波段相对透明，使用MoSe2与铁磁金属构成异质结，可减少材料本身对所产生的太赫兹辐射的衰减。