[发明专利]磁性存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911237999.0 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112928135B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 孟皓;迟克群 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性存储器及其制备方法，所述磁性存储器包括至少一个混合存储阵列，所述混合存储阵列包括相邻设置的STT‑MRAM阵列和SOT‑MRAM阵列，其中，所述STT‑MRAM阵列包括按阵列排布的STT‑MRAM存储单元，所述SOT‑MRAM阵列包括按阵列排布的SOT‑MRAM存储单元，所述STT‑MRAM存储单元与所述SOT‑MRAM存储单元具有相同的层叠结构。本发明的磁性存储器既能满足大量数据长时间保存，同时还能满足大量数据的频繁擦写。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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