[发明专利]存储器读取速度调节电路有效
申请号: | 201911133050.6 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110867203B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 洪亮 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王江富 |
地址: | 201314*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种存储器读取速度调节电路,采用读脉冲触发内部标志寄存器置1,并通过存储器读电路反馈的读操作完成脉冲对内部标志寄存器清0的过程确保存储器读电路的读数据操作完成,在规定时间内读操作完成时,内部标志寄存器保持为原值0不变,而当读操作未完成时,内部标志寄存器仍为1,主控制器则把存储器读电路的读取速度配置加快,再次发送粗调操作使能信号重新进行粗调判断。该存储器读取速度调节电路,通过内部标志寄存器值来判断存储器是否在规定时间内完成读操作,作为调节存储器的模拟读电路配置的依据,从而能自适应于不同应用场景下,自动调节存储器的读电路的读数据操作速度,可减少存储的读数据功耗以及提高读数据操作可靠性。 | ||
搜索关键词: | 存储器 读取 速度 调节 电路 | ||
【主权项】:
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