[发明专利]存储器阵列及形成存储器阵列的方法有效
| 申请号： | 201911038077.7 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111129022B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金昌汉;G·卡尔内瓦莱 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B41/35;H10B41/27;H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及存储器阵列及形成存储器阵列的方法。一些实施例包含一种存储器阵列，其具有交替绝缘层与字线层的垂直堆叠。通道材料沿所述堆叠延伸。导电片段是沿所述字线层。所述导电片段中的每一者沿横截面具有与彼此成相对关系的第一及第二端。所述导电片段包含栅极及邻近所述栅极的字线。所述字线涵盖所述第二端，且所述栅极具有涵盖所述第一端的经修圆(例如基本上抛物线型)鼻状部。一些实施例包含形成集成组合件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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