[发明专利]磁性存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201911033480.0 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN111105824B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 应继锋;王仲盛;林灿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁性存储器包括：设置在衬底上方的第一自旋轨道转移‑自旋扭矩转移(SOT‑STT)混合磁性器件、设置在衬底上方的第二SOT‑STT混合磁性器件以及连接至第一和第二SOT‑STT混合磁性器件的SOT导电层。第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个包括：第一磁性层，作为磁性自由层；间隔件层，设置在第一磁性层下方；以及第二磁性层，作为磁性参考层，设置在间隔件层下方。SOT导电层设置在第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个的第一磁性层上方。本发明的实施例还涉及磁性存储器的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911033480.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：机床
- 下一篇：用于确定由作业设备移动的有效载荷质量的系统和方法
