[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911033370.4 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112736136B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 赵树峰 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/861;H01L29/778;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区，还包括依次设置的衬底、多层半导体层、至少两类电极、介质层和至少一块导电块，至少两类电极、介质层和至少一块导电块均位于有源区内；介质层中形成有电极通孔，电极通孔贯穿介质层，且电极通孔在衬底所在平面上的垂直投影与至少一类电极在衬底所在平面上的垂直投影交叠；位于电极通孔内的通孔导电柱；同一导电块通过通孔导电柱与同一类电极电连接。采用上述技术方案，通过设置电极与导电块位于不同膜层，同时通过通孔导电柱实现导电块与电极的电连接，通过导电块向电极提供信号，保证半导体器件正常工作的同时减小半导体器件的面积，有利于实现半导体器件的小型化设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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