[发明专利]一种提高氧化亚铜薄膜晶粒度的方法及其应用在审
| 申请号： | 201911033332.9 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112725746A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 田耘;张建楠;胡鹏程 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;H01L31/032;H01L31/04 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 郑平 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及氧化亚铜薄膜制备技术领域，尤其涉及一种提高氧化亚铜薄膜晶粒度的方法及其应用。所述方法为将清洗干净的石英玻璃片放入磁控溅射仪的镀膜机腔室中，抽真空后对石英玻璃片加热至设定温度；在腔室中通入流量保护气氛，采用直流电源和高纯银靶在石英玻璃片溅射银薄膜缓冲层，完成后在石英玻璃片上得到缓冲层银膜；紧接着采用高纯铜靶在银膜上溅射氧化亚铜薄膜：通入氧气开始溅射；完成后排放掉气体，打开腔室，取出制得的产品，即得。本发明提出的方法采用磁控溅射镀膜技术在衬底上向制备出缓冲层银膜，能够使得氧化亚铜薄膜结晶度提高，缺陷减少，显著提高氧化亚铜的晶粒度。另外，本发明的方法能够使大晶粒氧化亚铜薄膜的制备成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氧化亚铜 薄膜 晶粒 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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