[发明专利]一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件有效
| 申请号： | 201911014906.8 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110718586B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件，包括芯片本体，芯片本体的边缘为终端保护区，芯片本体包括N型基区、P型基区、P+接触区及N+发射区、N型场终止区、P型集电极区、集电极金属层、发射极金属，芯片本体的中部包括元胞区，元胞区内设有多个元胞，芯片本体的中部还包括与元胞区隔离的闩锁测试区，闩锁测试区内设有闩锁测试模块，闩锁测试模块包括两组测试端子组件，每组测试端子组件包括位于P+接触区上方并与P+接触区连接的闩锁测试端子。本发明的抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件具有闩锁检测功能，能够防止器件由于闩锁现象造成损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抗闩锁 效应 沟槽 绝缘 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种抗闩锁效应的沟槽型绝缘栅晶体管器件，包括芯片本体，芯片本体的边缘为终端保护区，芯片本体包括N型基区（240）、位于N型基区上方的P型基区（250）、位于P型基区上部的P+接触区（280）及N+发射极区（260）、位于N型基区下方的N型场终止区（230）、位于N型场终止区下方的P型集电极区（220）、位于P型集电极区下方的集电极金属层（210）、位于P型基区表面的发射极金属（211），芯片本体的中部包括元胞区，元胞区内设有多个元胞，其特征在于：芯片本体的中部还包括与所述元胞区隔离的闩锁测试区，闩锁测试区内设有闩锁测试模块，闩锁测试模块包括两组测试端子组件（310），每组测试端子组件包括位于P+接触区上方并与P+接触区连接的闩锁测试端子（311）。/n
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