[发明专利]CMOS-TDI图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910988600.6 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110729319A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 黄金德;王林;胡万景 | 申请（专利权）人： | 昆山锐芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种CMOS‑TDI图像传感器及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底内形成光电掺杂区；在所述光电掺杂区表面形成若干栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极层；在所述栅介质层和基底之间的界面处进行掺杂处理，所述掺杂处理用于减少所述栅介质层与所述基底之间的缺陷。本发明的技术方案中，通过在所述栅介质层和基底之间的界面处进行掺杂处理，使所述基底与所述栅介质层形成的缺陷与所述掺杂处理中的第二离子结合，起到钝化的作用，进而减小暗电流的产生，提升了CMOS‑TDI图像传感器的图像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 栅介质层 基底 掺杂 栅极结构 掺杂区 界面处 表面形成 离子结合 暗电流 栅极层 钝化 减小 图像 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS-TDI图像传感器形成的方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底内形成光电掺杂区；/n在所述光电掺杂区表面形成若干栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极层；/n在所述栅介质层和基底之间的界面处进行掺杂处理，所述掺杂处理用于减少所述栅介质层与所述基底之间的缺陷。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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