[发明专利]一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201910937846.0 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110783472B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 段理;魏星;郭婷婷;王昭 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 孙雅静 |
| 地址： | 710064 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED的制备方法，其特征在于，包括在ITO衬底上生长ZnO:Cu/ZnO:Al异质结，将PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的ZnO:Cu多晶层表面进行热处理，最后在ZnO:Cu多晶层表面镀上Ti电极，即得；所述的在ITO衬底上生长ZnO:Cu/ZnO:Al异质结包括先在ITO衬底上生长ZnO:Al多晶层，然后将其放入乙酸锌和硝酸铜的混合溶液中，在ZnO:Al多晶层表面上生长ZnO:Cu多晶层，最终，ITO衬底上得到ZnO:Cu/ZnO:Al异质结。本发明经过基于半导体能带工程的光谱调制，实现了490nm的主发光峰，能提供更为优秀的光生物效应。本发明制备方法过程简单安全、所用设备和原料价格低廉，适合产业化大规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pmot ppv zno cu al 异质结 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED的制备方法，其特征在于，包括在ITO衬底上生长ZnO:Cu/ZnO:Al异质结，将PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的ZnO:Cu多晶层表面进行热处理，最后在ZnO:Cu多晶层表面镀上Ti电极，即得；/n所述的在ITO衬底上生长ZnO:Cu/ZnO:Al异质结包括先在ITO衬底上生长ZnO:Al多晶层，然后将其放入乙酸锌和硝酸铜的混合溶液中，在ZnO:Al多晶层表面上生长ZnO:Cu多晶层，最终，ITO衬底上得到ZnO:Cu/ZnO:Al异质结。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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