[发明专利]单晶硅片材的制造方法在审
| 申请号： | 201910909721.7 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112553685A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 丁欣 | 申请（专利权）人： | 丁欣 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 200123 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种单晶硅片材的制造方法，包括：沿单晶硅棒材的径向或轴向方向切割单晶硅棒材，获得单晶硅基板；通过湿法腐蚀，对单晶硅基板的顶面和底面蚀刻多孔硅结构；通过化学气相沉积，在多孔硅结构上沉积单晶硅薄层，使得单晶硅薄层的厚度达到预定值；以及从多孔硅结构上剥离单晶硅薄层，获得单晶硅片材。本申请能够提高化学气相沉积法直接制作单晶硅硅片法产能，并且将硅片制造的工艺步序同传统上属于电池制造的扩散发射极的工序融合到一起，从而显著地降低了太阳能单晶硅电池的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
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