[发明专利]一种二价铕掺杂的α-sialon基长余辉发光材料及制备方法在审
| 申请号： | 201910891837.2 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110655920A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘泉林;王飞熊;郭竞泽;张世有 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C09K11/64 | 分类号： | C09K11/64;C09K11/80 |
| 代理公司： | 11237 北京市广友专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二价铕掺杂的α‑sialon基长余辉发光材料及其制备方法，属于发光材料领域。材料以二价Eu离子为发光离子，Li、Mg、Ca、Sr、Y、Lu、Gd和Si、Al、N、O构成基质晶格，通过不同阳离子及阳离子掺杂量来调制能带的宽度，氮缺陷和氧缺陷作为缺陷中心俘获电子，Eu | ||
| 搜索关键词： | 晶体结构 余辉 余辉发光材料 长余辉材料 阳离子掺杂 紫外光 发光波长 发光材料 发光离子 发光中心 发射波长 基质晶格 激发波长 缺陷中心 三方晶系 有效激发 掺杂的 橙黄光 二价铕 结晶质 空间群 阳离子 氧缺陷 俘获 二价 黄光 基长 可控 调制 制备 离子 陷阱 发射 调控 | ||
【主权项】：
1.一种二价铕掺杂的α-sialon基长余辉发光材料，其特征在于，以二价Eu离子为发光离子，Li、Mg、Ca、Sr、Y、Lu、Gd和Si、Al、N、O构成基质晶格，通过不同阳离子及阳离子掺杂量来调制能带的宽度，氮缺陷和氧缺陷作为缺陷中心俘获电子，Eu
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