[发明专利]基于辅助曝光结构的超导纳米线单光子探测器光对准方法有效
申请号: | 201910877513.3 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN110631717B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 尤立星;张成俊;张伟君;孙兴渠;李浩;王镇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G01J11/00 | 分类号: | G01J11/00 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 宋缨 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种基于辅助曝光结构的超导纳米线单光子探测器光对准方法,包括:超导纳米线单光子探测器;若干个辅助曝光纳米线结构,位于超导纳米线单光子探测器外围,且贴置于超导纳米线单光子探测器的光敏面外边缘;辅助曝光纳米线结构用于入射光与超导纳米线单光子探测器的光敏面的光对准。传统的纳米线辅助曝光结构有助于加工得到线宽较均匀的纳米线,但其不构成单光子探测器件。本发明把中心区域周围的辅助曝光结构加以利用,设计成多个单光子探测器,可以通过外围探测器的光计数反馈定位光斑的位置,从而进行光斑与中心区域的对准。 | ||
搜索关键词: | 基于 辅助 曝光 结构 导纳 米线 光子 探测器 对准 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于辅助曝光结构的超导纳米线单光子探测器,其特征在于,包括:/n超导纳米线单光子探测器;/n若干个辅助曝光纳米线结构,位于所述超导纳米线单光子探测器外围,且贴置于所述超导纳米线单光子探测器的光敏面外边缘;所述辅助曝光纳米线结构用于入射光与所述超导纳米线单光子探测器的光敏面的光对准。/n
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