[发明专利]晶体管在审
| 申请号： | 201910851852.4 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN111081767A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 袁锋;何嘉政;王梓仲;李东颖;蔡劲;林铭祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 多个所述的实施例提供具有负电容的晶体管、及其制造方法。晶体管包含具有铁电层的栅极结构。铁电层是通过形成厚铁电膜、退火铁电膜以具有所需相态、以及薄化铁电膜至铁电层的所需厚度而形成。此制程确保在不管铁电层厚度的情况下，铁电层将具有铁电性质。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
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