[发明专利]一种无氢掺铝非晶碳膜、制备方法及其应用在审
申请号: | 201910851546.0 | 申请日: | 2019-09-09 |
公开(公告)号: | CN110468374A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 郭朝乾;汪唯;李洪;许伟;王红莉;彭雅利;林松盛;石倩;韦春贝;苏一凡;唐鹏;朱霞高;代明江 | 申请(专利权)人: | 广东省新材料研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35 |
代理公司: | 11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 李双艳<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种无氢掺铝非晶碳膜、制备方法及其应用,其方法包括:以碳铝复合靶作为靶材,采用磁控溅射法在基体表面沉积得到无氢掺铝非晶碳膜,所得的无氢掺铝非晶碳膜硬度高、致密性好、耐磨性优良,薄膜呈拉应力状态,可直接用于基体的表面防护、装饰;也可和其他压应力态的膜层复合,制备低残余应力或无残余应力的多层薄膜。 | ||
搜索关键词: | 非晶碳膜 掺铝 无氢 残余应力 制备 磁控溅射法 拉应力状态 耐磨性 表面防护 多层薄膜 基体表面 致密性好 复合靶 压应力 靶材 膜层 碳铝 沉积 薄膜 复合 应用 | ||
【主权项】:
1.一种无氢掺铝非晶碳膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:以碳铝复合靶作为靶材,采用磁控溅射法在基体表面沉积得到所述无氢掺铝非晶碳膜。/n
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