[发明专利]一种双面太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201910844110.9 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110518094B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 左严严;包健;廖晖;白明华;张昕宇;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王云晓 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面太阳能电池的制备方法，会先将形成有BSG的硅衬底放入链式制绒机中盛有氢氟酸的清洗槽中，以去除BSG；使用链式制绒机将硅衬底从清洗槽转移至制绒槽中进行制绒，以在硅衬底的第二表面形成第一绒面；制绒槽盛有包括氢氟酸的混酸制绒液。先使用氢氟酸去除BSG，再使用包括氢氟酸的混酸制绒液，使得在此两个步骤之间不需要对硅衬底进行清洗，使用链式制绒机可以在同一工艺中，即使用同一链式制绒机即可实现BSG的去除以及第一绒面的制备，从而有效简化双面太阳能电池的制备工艺，方便快捷的制备双面太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：/n在硅衬底的第一表面进行硼扩散以在所述硅衬底的第一表面形成p型扩散层；所述硅衬底中与所述第一表面相对的第二表面形成有BSG；/n将形成有所述BSG的硅衬底放入链式制绒机中盛有氢氟酸的清洗槽中，以去除所述BSG；/n使用所述链式制绒机将所述硅衬底从所述清洗槽转移至制绒槽中进行制绒，以在所述硅衬底的所述第二表面形成第一绒面；所述制绒槽盛有包括氢氟酸的混酸制绒液；/n在所述第一绒面表面进行磷扩散以形成覆盖所述第一绒面的n型扩散层；/n设置与所述p型扩散层电连接的第一栅线，并设置与所述n型扩散层电连接的第二栅线，以制成所述双面太阳能电池。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
