[发明专利]一种抗电势诱导衰减的背面膜层结构、制备方法、用途及太阳能电池有效
申请号: | 201910588502.3 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN110444609B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 姜泽光;张欣;林纲正 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 高文龙 |
地址: | 300400 天津市北辰区经济*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种抗电势诱导衰减的背面膜层结构、制备方法、用途及太阳能电池,该背面膜层结构包括自下而上依次贴附在硅基体上的氧化铝钝化层和氮化硅层,所述背面膜层结构还包括碳氮化硅层,所述碳氮化硅层设置在所述氧化铝钝化层和氮化硅层之间、或者贴附在所述氮化硅层上;所述背面膜层结构增设有具有抗氧化、抗水汽性能的碳氮化硅层,从而增强了抗电势诱导衰减效果。本发明同时公开了该背面膜层结构的制备方法、用途及包含该背面膜层结构的太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 电势 诱导 衰减 面膜 结构 制备 方法 用途 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种抗电势诱导衰减的背面膜层结构,包括自下而上依次贴附在硅基体(1)上的氧化铝钝化层(2)和氮化硅层(4),其特征在于:所述背面膜层结构还包括碳氮化硅层(3),所述碳氮化硅层(3)设置在所述氧化铝钝化层(2)和氮化硅层(4)之间、或者贴附在所述氮化硅层(4)上,所述碳氮化硅层(3)通过如下工艺制备:沉积温度350‑450℃,沉积功率4000‑9000W,沉积压力1300‑1800mTor,沉积占空比2:30‑2:60,沉积时间40‑220s,氨气流量1000‑7000sccm,硅烷流量500‑2000sccm,甲烷流量2000‑8500sccm;所述背面膜层结构增设有具有抗氧化、抗水汽性能的碳氮化硅层(3),从而增强了抗电势诱导衰减效果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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