[发明专利]硒化铜纳米粒子的制备在审
| 申请号： | 201910583651.0 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110277308A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·哈里斯;纳瑟莉·格雷斯蒂;翁布雷塔·马萨拉;奈杰尔·皮克特 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/18;H01L51/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴胜周 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种用于制备硒化铜纳米粒子的方法，所述方法包括在硒醇化合物的存在下，实现含有铜和硒离子的纳米粒子前体组合物向硒化铜纳米粒子材料的转化。还公开了使用硒化铜作为助熔剂制造的含有硒化铜的膜和CIGS半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化铜 纳米粒子 制备 纳米粒子材料 纳米粒子前体 醇化合物 硒离子 助熔剂 转化 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硒化铜纳米粒子，所述硒化铜纳米粒子由式Cu(2‑x)Se表示，其中0≤x＜2，所述硒化铜纳米粒子具有经由硒‑碳键与配体结合的表面，所述纳米粒子通过包括以下步骤的方法制备：使纳米粒子前体在有机溶剂中反应，所述纳米粒子前体由铜配位化合物和有机硒醇化合物组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
