[发明专利]硅片吸附装置及激光退火设备在审
| 申请号： | 201910543485.1 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN112117209A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 冒鹏飞;蔡晨;张德峰;杨博光 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片吸附装置及激光退火设备，该硅片吸附装置具有能够吸附硅片的吸附面，还包括标识差异件，标识差异件设置在硅片吸附装置上，用于形成标识区域，吸附面包括吸附区域，吸附区域被配置为能够吸附固定硅片，标识区域与吸附区域相邻设置，硅片被吸附区域吸附固定后，硅片的边缘至少部分落入标识区域内，标识区域与硅片具有不同的机器识别度。上述的硅片吸附装置能够提高硅片边缘提取精度及效率，硅片与吸盘对准效率高，有利于提高激光退火设备产能。相应地，本发明还提供一种激光退火设备。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 吸附 装置 激光 退火 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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