[发明专利]功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构有效
| 申请号： | 201910467609.2 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110246814B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 武伟;林仲康;王亮;赛朝阳;董建军;吴军民;潘艳;张朋;李现兵 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司晋城供电公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 林韵英 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片终端耐压的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 芯片 封装 方法 及其 结构 晶圆预 | ||
【主权项】：
1.一种功率芯片预封装方法，用于晶圆，所述晶圆上阵列排布有多个功率芯片，所述功率芯片的第一电极位于所述晶圆的第一表面，所述功率芯片的第二电极位于所述晶圆的第二表面，其特征在于，包括：将多个第一引出电极分别连接在所述功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围所述第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在所述功率芯片的第二电极上；利用所述封装材料填充所述第二引出电极之间的空间，形成包围所述第二引出电极的第二封装层；对所述晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。
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