[发明专利]一种半导体晶体生长装置和方法在审
| 申请号： | 201910362435.3 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111850675A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王刚;沈伟民 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶体生长装置和方法。所述半导体晶体生长装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出硅晶棒的过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热。根据本发明的半导体晶体生长装置和方法，通过在硅晶棒四周设置加热装置，对拉晶过程中的硅晶棒进行加热，有效减少了硅晶棒中心和边缘的温度不均匀分布，使晶棒稳定生长，减少了晶棒生长过程中的缺陷提升了晶体生长的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910362435.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
