[发明专利]光电装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910361360.7 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110085684A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈峰;陈世杰;晁阳;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L33/44;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种光电装置及其制造方法。光电装置包括：衬底，所述衬底中形成有光电器件；抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述光电器件，所述抗反射层的厚度为沉积形成的预设厚度；第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖所述光电器件上方的抗反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 抗反射层 光电器件 光电装置 钝化层 衬底 预设 沉积 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光电装置，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有光电器件；抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述光电器件，所述抗反射层的厚度为通过沉积形成的预设厚度；第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖所述光电器件上方的抗反射层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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