[发明专利]离子注入能量的监测方法和半导体结构在审
| 申请号： | 201910348293.5 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110047773A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李岩;杨健;马富林;李超;赵强 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种离子注入能量的监测方法和半导体结构，所述离子注入能量的监测方法，在半导体衬底上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成半导体材料层；在所述半导体材料层上形成第二阻挡层；在一待监测注入能量下，在第二阻挡层、半导体材料层和第一阻挡层中注入杂质离子，本发明中通过形成第二阻挡层、半导体材料层和第一阻挡层构成的三明治结构，在注入时，当待监测的注入能量发生偏移时，注入到半导体材料层中的杂质离子减少，更多的杂质离子被注入到第一阻挡层或第二阻挡层中，因而在进行退火后，通过测量所述半导体材料层的电阻值，通过判断测量的电阻值与设定值是否存在差异，若存在差异，则注入的能量存在漂移，从而实现对注入能量的监测。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡层 半导体材料层 监测 离子注入能量 杂质离子 注入能量 半导体结构 电阻 测量 三明治结构 漂移 退火 偏移 衬底 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入能量的监测方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成半导体材料层；在所述半导体材料层上形成第二阻挡层；在一待监测注入能量下，在第二阻挡层、半导体材料层和第一阻挡层中注入杂质离子；进行退火以激活杂质离子；进行退火后，测量所述半导体材料层的电阻值，判断测量的电阻值与设定值是否存在差异，若存在差异，则注入的能量存在漂移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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